6.5 エバネッセント波とリング共振器

■入力データ: evanes2d_P.oth, evanes2d_S.oth

6.1で述べたように全反射のとき出射側には指数関数で減衰するエバネッセント波が発生します。 そこに誘電体のリングを置くと特定の周波数で誘電体の表面に大きな電界が発生します。
図1,図2にP偏波とS偏波の電界分布を示します。
2次元モデルで計算しています。
上の比誘電率=3、下の比誘電率=1、リングの比誘電率=3、リングの直径=200mm、リングの間隙=4mmです。
セルサイズはすべて2mmです。
入射角は臨界角sin^-1(1/√3)=35.3度より大きい40度です。

図1 電界分布(P偏波、4.04GHz、入射角40度)

図2 電界分布(S偏波、4.14GHz、入射角40度)